SI1988DH-T1-E3

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SI1988DH-T1-E3

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MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

  • HerstellerVishay Siliconix

  • Herstellerteil #SI1988DH-T1-E3

  • Paket SC-88

  • Auf Lager9146

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 168mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 4.1nC @ 8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 110pF @ 10V
Power - Max 1.25W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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