SI3909DV-T1-E3

Abbildungen dienen nur als Referenz

SI3909DV-T1-E3

+Stückliste

MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP

  • HerstellerVishay Siliconix

  • Herstellerteil #SI3909DV-T1-E3

  • Paket TSOT-23-6

  • Auf Lager2707

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Rds On(Max) @ Id Vgs 200mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 500mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Power - Max 1.15W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Produkte, die mit SI3909DV-T1-E3 zusammenhängen