SI4511DY-T1-E3

Abbildungen dienen nur als Referenz

SI4511DY-T1-E3

+Stückliste

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

  • HerstellerVishay Siliconix

  • Herstellerteil #SI4511DY-T1-E3

  • Paket SOIC-8

  • Auf Lager3538

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 7.2A, 4.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Power - Max 1.1W
Mounting Type Surface Mount

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