SI4972DY-T1-E3

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SI4972DY-T1-E3

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MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC

  • HerstellerVishay Siliconix

  • Herstellerteil #SI4972DY-T1-E3

  • Paket SOIC-8

  • Auf Lager2142

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 10.8A, 7.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 14.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1080pF @ 15V
Power - Max 3.1W, 2.5W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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