SI5504DC-T1-E3

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SI5504DC-T1-E3

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MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

365 Tage Qualitätsgarantie

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.9A, 2.1A
Rds On(Max) @ Id Vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
Power - Max 1.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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