SI5975DC-T1-GE3

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SI5975DC-T1-GE3

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MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET

  • HerstellerVishay Siliconix

  • Herstellerteil #SI5975DC-T1-GE3

  • Paket 8-SMD, Flat Lead

  • Auf Lager4814

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.1A
Rds On(Max) @ Id Vgs 86mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 450mV @ 1mA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Power - Max 1.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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