SI6562DQ-T1-E3

Abbildungen dienen nur als Referenz

SI6562DQ-T1-E3

+Stückliste

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

  • HerstellerVishay Siliconix

  • Herstellerteil #SI6562DQ-T1-E3

  • Paket TSSOP-8

  • Auf Lager2018

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Rds On(Max) @ Id Vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Power - Max 1W
Mounting Type Surface Mount

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