SI7530DP-T1-E3

Abbildungen dienen nur als Referenz

SI7530DP-T1-E3

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MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

365 Tage Qualitätsgarantie

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90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3A, 3.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 75mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Power - Max 1.4W, 1.5W
Mounting Type Surface Mount

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