SI7911DN-T1-E3

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SI7911DN-T1-E3

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MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 51mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Power - Max 1.3W
Mounting Type Surface Mount

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