SI8900EDB-T2-E1

Abbildungen dienen nur als Referenz

SI8900EDB-T2-E1

+Stückliste

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

  • HerstellerVishay Siliconix

  • Herstellerteil #SI8900EDB-T2-E1

  • Paket UFBGA-10

  • Auf Lager2692

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.4A
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 1.1mA
Power - Max 1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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