SI8902EDB-T2-E1

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SI8902EDB-T2-E1

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MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.9A
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 980µA
Power - Max 1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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