STB10N65K3

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STB10N65K3

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MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK

  • HerstellerSTMikroelektronik

  • Herstellerteil #STB10N65K3

  • Auf Lager901

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier STMicroelectronics
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series SuperMESH3™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)

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