STI23NM60ND

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STI23NM60ND

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MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK

  • HerstellerSTMikroelektronik

  • Herstellerteil #STI23NM60ND

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier STMicroelectronics
Package / Case Tube
Series FDmesh™ II
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 19.5A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2050 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package I2PAK

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