2N7002K-T1-E3 vs 2N7002K-T1-GE3 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002K-T1-GE3 und 2N7002K-T1-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOT-23-3
SOT-23-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Series
TrenchFET®
TrenchFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
300mA (Ta)
300mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.5V @ 250µA
2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
30 pF @ 25 V
30 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
350mW (Ta)
350mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
