FDG6317NZ vs FDG6332C-PG

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6317NZ und FDG6332C-PG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDG6317NZ

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15868 Stückzahl | Onsemi
FDG6332C-PG

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3818 Stückzahl | Onsemi
Paket SC-88 SC-88
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6 MOSFET N P-CH 20V SC70-6
Supplier onsemi onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel Complementary
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 700mA 700mA (Ta), 600mA (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs 400mOhm @ 700mA, 4.5V 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 1.1nC @ 4.5V 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 66.5pF @ 10V 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Power-Max 300mW 300mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDG6317NZ FDG6332C-PG

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