FDS6930B vs FDS6900AS-G

Dieser detaillierte Vergleich von FDS6930B und FDS6900AS-G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS6930B

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
16996 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

FDS6900AS-G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
6507 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Specification FDS6930B FDS6900AS-G
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Flip Electronics,onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.5A 6.9A, 8.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 38mOhm @ 5.5A, 10V 27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.8nC @ 5V 15nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 412pF @ 15V 600pF @ 15V
Power - Max 900mW 900mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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