FDS6930B vs FDS6961A_F011 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von FDS6930B und FDS6961A_F011 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Supplier
onsemi,Rochester Electronics, LLC
onsemi
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
5.5A
3.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs
38mOhm @ 5.5A, 10V
90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
3.8nC @ 5V
4nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
412pF @ 15V
220pF @ 15V
Power - Max
900mW
900mW
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
