FDS6930B vs FDS6911

Dieser detaillierte Vergleich von FDS6930B und FDS6911 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS6930B

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
16996 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

FDS6911

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
9582 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification FDS6930B FDS6911
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.5A 7.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 38mOhm @ 5.5A, 10V 13mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.8nC @ 5V 24nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 412pF @ 15V 1130pF @ 15V
Power - Max 900mW 900mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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