FDS6930B vs FDS6982AS_G

Dieser detaillierte Vergleich von FDS6930B und FDS6982AS_G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS6930B

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
16996 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

FDS6982AS_G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
9642 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FDS6930B FDS6982AS_G
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.5A 6.3A, 8.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 38mOhm @ 5.5A, 10V 28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.8nC @ 5V 9nC @ 5V, 16nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 412pF @ 15V 610pF @ 10V, 1250pF @ 10V
Power - Max 900mW 900mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare Anfrage