FDS6930B vs FDS6930A
Dieser detaillierte Vergleich von FDS6930B und FDS6930A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Supplier
onsemi,Rochester Electronics, LLC
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Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
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FETType
2 N-Channel (Dual)
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FETFeature
Logic Level Gate
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DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
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Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.5A
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RdsOn(Max)@IdVgs
38mOhm @ 5.5A, 10V
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Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
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GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
3.8nC @ 5V
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InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
412pF @ 15V
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Power-Max
900mW
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OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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MountingType
Surface Mount
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Part Status
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Obsolete
Technology
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MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
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2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
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40mOhm @ 5.5A, 10V
Base Product Number
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FDS6930
