FDS6930B vs FDS6930A

Dieser detaillierte Vergleich von FDS6930B und FDS6930A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS6930B

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
16996 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

FDS6930A

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
2195 Stückzahl
Series
Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification FDS6930B FDS6930A
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC -
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.5A -
Rds On(Max) @ Id Vgs 38mOhm @ 5.5A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.8nC @ 5V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 412pF @ 15V -
Power - Max 900mW 900mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Configuration - 2 N-Channel (Dual)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 40mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 460pF @ 15V
Base Product Number - FDS6930
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