IRF7341PBF vs IRF7306QTRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7341PBF und IRF7306QTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SOIC
Supplier
Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Infineon Technologies
ProductStatus
Discontinued at Digi-Key
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4.7A
3.6A
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
36nC @ 10V
25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
740pF @ 25V
440pF @ 25V
Power-Max
2W
2W
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
