MUN2211T1G vs MUN2211T3

Dieser detaillierte Vergleich von MUN2211T1G und MUN2211T3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

MUN2211T1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
5798 Stückzahl
Package
SC-59
Series
Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)
+Stückliste Anfrage
Part B

MUN2211T3

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7770 Stückzahl
Package
TO-236-3
Series
Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)
+Stückliste Anfrage

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Specification MUN2211T1G MUN2211T3
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 50 V
Resistor - Base(R1) 10 kOhms 10 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 10 kOhms 10 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 230 mW 338 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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