MUN2211T1G vs MUN2237T1

Dieser detaillierte Vergleich von MUN2211T1G und MUN2237T1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

MUN2211T1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
5798 Stückzahl
Package
SC-59
Series
Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)
+Stückliste Anfrage
Part B

MUN2237T1

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4980 Stückzahl
Series
Transistoren-Bipolar (BJT bis Single, Pre-Biased)
+Stückliste Anfrage

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Specification MUN2211T1G MUN2237T1
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type NPN - Pre-Biased -
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V -
Resistor - Base(R1) 10 kOhms -
Resistor - Emitter Base(R2) 10 kOhms -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA -
Power - Max 230 mW -
Mounting Type Surface Mount -
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