MUN2211T1G vs MUN2235T1G

Dieser detaillierte Vergleich von MUN2211T1G und MUN2235T1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MUN2211T1G

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5798 Stückzahl | Onsemi
MUN2235T1G

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9667 Stückzahl | Sanyo
Paket SC-59 TO-236-3
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59 DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
Supplier - Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Active
TransistorType NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Current-Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 50 V 50 V
Resistor-Base(R1) 10 kOhms 2.2 kOhms
Resistor-EmitterBase(R2) 10 kOhms 47 kOhms
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
VceSaturation(Max)@IbIc 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Current-CollectorCutoff(Max) 500nA 500nA
Power-Max 230 mW 230 mW
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : MUN2211T1G MUN2235T1G

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