MUN2211T1G vs MUN2216T1

Dieser detaillierte Vergleich von MUN2211T1G und MUN2216T1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MUN2211T1G

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5798 Stückzahl | Onsemi
MUN2216T1

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3214 Stückzahl | Onsemi
Paket SC-59
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
Supplier - Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
TransistorType NPN - Pre-Biased -
Current-Collector(Ic)(Max) 100 mA -
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 50 V -
Resistor-Base(R1) 10 kOhms -
Resistor-EmitterBase(R2) 10 kOhms -
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 35 @ 5mA, 10V -
VceSaturation(Max)@IbIc 250mV @ 300µA, 10mA -
Current-CollectorCutoff(Max) 500nA -
Power-Max 230 mW -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : MUN2211T1G MUN2216T1

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