GA04JT17-247

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GA04JT17-247

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TRANS SJT 1700V 4A TO247AB

  • HerstellerGeneSiC Halbleiter

  • Herstellerteil #GA04JT17-247

  • Auf Lager8044

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4A (Tc) (95°C)
Rds On(Max) @ Id Vgs 480mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max) 106W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AB

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