GA05JT12-247

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GA05JT12-247

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TRANS SJT 1200V 5A TO247AB

  • HerstellerGeneSiC Halbleiter

  • Herstellerteil #GA05JT12-247

  • Auf Lager8615

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 280mOhm @ 5A
Power Dissipation (Max) 106W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AB

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