Abbildungen dienen nur als Referenz
GA10JT12-247
+StücklisteTRANS SJT 1200V 10A TO247AB
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HerstellerGeneSiC Halbleiter
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Herstellerteil #GA10JT12-247
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Datenblatt GA10JT12-247 DataSheet
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Auf Lager5175
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Spezifikationen
| Attribut | Wert |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 140mOhm @ 10A |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
