2N7002 vs 2N7001TQDCKRQ1

Dieser detaillierte Vergleich von 2N7002 und 2N7001TQDCKRQ1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002

STMikroelektronik

Lifecycle
Active
Stock
1470 Stückzahl
Package
SOT-23
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification 2N7002 2N7001TQDCKRQ1
Supplier - Texas Instruments
Series STripFET™ Automotive, AEC-Q100
Part Status Obsolete Active
Translator Type - Voltage Level
Channel Type - Unidirectional
Number of Circuits - 1
Channelsper Circuit - 1
Voltage - VCCA - 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB - 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal - CMOS
Output Signal - CMOS
Output Type - Push-Pull
Data Rate - 100Mbps
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 200mA (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2 nC @ 5 V -
Vgs(Max) ±18V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 43 pF @ 25 V -
Power Dissipation (Max) 350mW (Tc) -