MMBFJ309LT1G vs MMBFJ203

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ309LT1G und MMBFJ203 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBFJ309LT1G

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3774 Stückzahl | Onsemi
MMBFJ203

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2002 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-23-3 TO-236-3
Beschreibung RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3 JFET N-CH 40V 350MW SOT23
Supplier - onsemi
ProductStatus Active Obsolete
FETType - N-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) - 40 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) - 4 mA @ 20 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id - 2 V @ 10 nA
Power-Max - 350 mW
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
TransistorType N-Channel JFET -
CurrentRating(Amps) 30mA -
Voltage-Rated 25 V -
Vergleichsmodell : MMBFJ309LT1G MMBFJ203

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