G3R45MT17K

Abbildungen dienen nur als Referenz

G3R45MT17K

+Stückliste

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4

  • HerstellerGeneSiC Halbleiter

  • Herstellerteil #G3R45MT17K

  • Auf Lager919

365 Tage Qualitätsgarantie

7*24 Stunden-Servicegarantie

90-Tage Kundendienstgarantie

Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Tube
Series G3R™
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 61A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 58mOhm @ 40A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.7V @ 8mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 182 nC @ 15 V
Vgs(Max) ±15V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4523 pF @ 1000 V
Power Dissipation (Max) 438W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-4

Produkte, die mit G3R45MT17K zusammenhängen