CSD87351ZQ5D vs CSD87313DMS Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von CSD87351ZQ5D und CSD87313DMS bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
CSD87351ZQ5D

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9225 Stückzahl | Texas Instruments
CSD87313DMS

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6204 Stückzahl | Texas Instruments
Paket LDFN-8 WDFN-8
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier Texas Instruments,Rochester Electronics, LLC Texas Instruments
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 32A -
Vgs(th)(Max) @ Id 2.1V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1255pF @ 15V 4290pF @ 15V
Power - Max 12W -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : CSD87351ZQ5D CSD87313DMS

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