FDG6322C vs FDG6332C-PG

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6322C und FDG6332C-PG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDG6322C

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4629 Stückzahl | Onsemi
FDG6332C-PG

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3818 Stückzahl | Onsemi
Paket 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beschreibung MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 MOSFET N P-CH 20V SC70-6
Supplier onsemi onsemi
ProductStatus Active Obsolete
FETType N and P-Channel N and P-Channel Complementary
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 220mA, 410mA 700mA (Ta), 600mA (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 0.4nC @ 4.5V 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 9.5pF @ 10V 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Power-Max 300mW 300mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series - PowerTrench®
Vergleichsmodell : FDG6322C FDG6332C-PG

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