FDG6306P vs FDG6321C
Dieser detaillierte Vergleich von FDG6321C und FDG6306P bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Supplier
onsemi
onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
Active
Active
FETType
N and P-Channel
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
25V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
500mA, 410mA
600mA
RdsOn(Max)@IdVgs
450mOhm @ 500mA, 4.5V
420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
1.5V @ 250µA
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
2.3nC @ 4.5V
2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 10V
114pF @ 10V
Power-Max
300mW
300mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
-
PowerTrench®
