FDG6317NZ vs FDG6318PZ Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6317NZ und FDG6318PZ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDG6317NZ

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15868 Stückzahl | Onsemi
FDG6318PZ

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3452 Stückzahl | Onsemi
Paket SC-88 SC-88
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6 MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
Supplier onsemi onsemi
Series PowerTrench® -
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 700mA 500mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 400mOhm @ 700mA, 4.5V 780mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V 1.62nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 66.5pF @ 10V 85.4pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDG6317NZ FDG6318PZ

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