FDG6306P vs FDG6332C-PG
Dieser detaillierte Vergleich von FDG6306P und FDG6332C-PG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
MOSFET N P-CH 20V SC70-6
Supplier
onsemi,Rochester Electronics, LLC
onsemi
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 P-Channel (Dual)
N and P-Channel Complementary
FETFeature
Logic Level Gate
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
600mA
700mA (Ta), 600mA (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs
420mOhm @ 600mA, 4.5V
300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
1.5V @ 250µA
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
2nC @ 4.5V
1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
114pF @ 10V
113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Power-Max
300mW
300mW (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
